電力電子半導(dǎo)體器件IGBT出現(xiàn)于80年代初，電力電子半導(dǎo)體器件IGBT的整個控制，具有高速、高輸入阻抗、易于驅(qū)動、低狀態(tài)壓降等突出特點(diǎn)，在中頻感應(yīng)加熱設(shè)備和高頻感應(yīng)加熱設(shè)備領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，使電磁感應(yīng)加熱技術(shù)有新的飛躍。我國對中頻電磁感應(yīng)加熱設(shè)備電源的研究工作不斷深入。
接下來小編為大家總結(jié)一下IGBT中頻感應(yīng)加熱設(shè)備電源常見的故障及保護(hù)措施。
1.逆變器的過電壓和過流保護(hù)
在逆變橋中，由于IGBT為完全控制裝置，橋可以在不同條件下工作。在容量模式下，后續(xù)的FRD將在轉(zhuǎn)換后立即承受反向電壓；而在感應(yīng)模式下，IGBT將立即關(guān)閉。對于導(dǎo)線回路電感器的存在，IGBT將承受脈沖脈沖。調(diào)制電源并使其在容量模式下工作，并通過檢測施加在二極管的兩個端子上的反向電壓來抑制電源。通過該方法，有效地控制了串聯(lián)二極管的反向電壓，提高了電源的可靠性。此外，可采用吸收IGBT和二極管的脈沖脈沖以保護(hù)器件。
當(dāng)逆變器發(fā)生過電壓時，提供觸發(fā)脈沖信號，使IGBT從整流改為反轉(zhuǎn)。晶閘管的Tp已投入使用。因此，由晶閘管提供了為濾波電感器斷電的回路，并阻礙了逆變器輸入端口的電壓上升速率。逆變器的輸入被夾在低電平，IGBT免受過電壓保護(hù)。
1）所有IGBT全部投入運(yùn)行，兩個橋可在很短時間內(nèi)共用短路；2）發(fā)生過流時應(yīng)立即觸發(fā)Tp。由于Tp投入運(yùn)行后的電壓降遠(yuǎn)低于IGBT橋架投入運(yùn)行時的電壓降。由于分流電流，IGBT的電流立即轉(zhuǎn)移到Tp，因此短路IGBT的電流沒有過調(diào)。同時，信號發(fā)送到整流器，整流器從整流模式變?yōu)榉崔D(zhuǎn)模式。釋放電源后，應(yīng)關(guān)閉電源。
3. 綜合保護(hù)
為了提高保護(hù)的可靠性，設(shè)計(jì)了鎖相保護(hù)電路。這是一個集成的保護(hù)裝置。當(dāng)負(fù)載發(fā)生異常情況時，例如輸出打開，輸出短或傳感器短，負(fù)載電壓與負(fù)載電流之間的相位差會發(fā)生較大的變化。該電路可與鎖相控制電路混合。當(dāng)負(fù)載電壓和負(fù)載電流的相位差變化迅速時，相位鑒別器的輸出電壓隨之變化迅速，當(dāng)它超過保護(hù)的額定值時，將提供一個信號，使保護(hù)電路工作。
以上就是IGBT中頻感應(yīng)加熱設(shè)備電源常見的故障及保護(hù)措施。更多關(guān)于IGBT中頻感應(yīng)加熱設(shè)備的相關(guān)技術(shù)知識，請咨詢青島海越機(jī)電-中頻高頻電磁感應(yīng)加熱設(shè)備制造商。
